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CRSS087N12N

更新时间: 2024-11-18 15:19:43
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华润微 - CRMICRO /
页数 文件大小 规格书
10页 606K
描述
TO-263(或D2PAK)

CRSS087N12N 数据手册

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CRST090N12N,CRSS087N12N  
华润微电子(重庆)有限公司  
SkyMOS3ꢀNꢁMOSFETꢀ120V,ꢀ7.5mꢂ,ꢀ110A  
Features  
Product Summary  
VDS  
120V  
•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS3ꢀtechnology  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀRDS(on)  
•ꢀExcellentꢀQgxRDS(on)ꢀproduct(FOM)  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria  
RDS(on)  
IDꢀ  
7.5mꢂ  
110A  
Applications  
•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive  
•ꢀBatteryꢀmanagement  
•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)  
100% Avalanche Tested  
CRST090N12N  
CRSS087N12N  
Package Marking and Ordering Information  
Partꢀ#  
Marking  
Package  
TOꢁ220  
TOꢁ263  
ReelꢀSize  
TapeꢀWidth  
N/A  
Qty  
Packing  
Tube  
CRST090N12N  
CRSS087N12N  
N/A  
N/A  
50pcs  
50pcs  
Tube  
N/A  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
Drainꢁsourceꢀvoltage  
120  
V
Continuousꢀdrainꢀcurrent  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
110  
120  
72ꢀ  
ID  
A
Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTjmax  
)
IDꢀpulse  
EAS(Noteꢀ1)  
VGS  
440ꢀ  
132ꢀ  
A
mJ  
V
Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25)  
GateꢁSourceꢀvoltage  
±20  
Powerꢀdissipationꢀ(TCꢀ=ꢀ25°C)  
Ptot  
227ꢀ  
W
°C  
Tjꢀ,ꢀT stg  
Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature  
ꢁ55...+150  
.ꢀNotes:1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ23A.  
©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited  
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