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CRST040N10N

更新时间： 2024-11-21 17:01:19

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华润微 - CRMICRO		/
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TO-220

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CRST040N10N 数据手册

CRST040N10N,ꢀCRSS037N10N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ3.3mꢂ,ꢀ120A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

100V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

3.3mꢂ

120A

Applications

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST040N10N

CRSS037N10N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ263

TOꢁ220

ReelꢀSize

N/A

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRSS037N10N

CRST040N10N

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

183ꢀ

120

I_D

116ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

480ꢀ

300ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

227ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...10

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