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CRSS109N20N

更新时间： 2024-11-18 15:17:39

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华润微 - CRMICRO		/
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10页	1204K
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TO-263(或D2PAK)

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CRSS109N20N 数据手册

CRST113N20N,CRSS109N20N

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS3ꢀNꢁMOSFETꢀ200V,ꢀ8.8mꢂ,ꢀ105A

Features

Product Summary

V_DS

200V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS3ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

8.8mꢂ

105A

Applications

100% Avalanche Tested

100% DVDS Tested

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST113N20N

CRSS109N20N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST113N20N

CRSS109N20N

CRST113N20N

CRSS109N20N

N/A

50pcs

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

200

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

105ꢀ

160

67ꢀ

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS(Noteꢀ1)

V_GS

420ꢀ

306ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

278ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

※.ꢀNotes:1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ35A,ꢀVgs=10V.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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