Datasheet > CRST030N10N

CRST030N10N

更新时间： 2024-11-19 17:01:31

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	580K
描述
TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRST030N10N 数据手册

CRST030N10N,CRSS028N10N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ2.5mꢂ,ꢀ180A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

100V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

2.5mꢂ

180A

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST030N10N

CRSS028N10N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST030N10N

CRSS028N10N

N/A

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

207ꢀ

180

I_D

131ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

720ꢀ

529ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

227ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

Notes:1.EASꢀwasꢀtestedꢀatꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀIDꢀ=ꢀ46A.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与CRST030N10N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CRST030N10NZ	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST033N08N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST036N12N3Z	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST038N08N3	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST040N10N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST042N12N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST046N14N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST047N12N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST048N07N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST048N08N3	CRMICRO	获取价格	TO-220