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CPH5905G-TL-E

更新时间： 2024-09-15 11:12:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 418K
描述
N 沟道 JFET 和 NPN 双极晶体管，15V，10 至 32mA，50V，150mA，复合型 CPH5

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CPH5905G-TL-E 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：5.23JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Number Matches：1

CPH5905G-TL-E 数据手册

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Ordering number : EN7177B  
CPH5905  
N-Channel JFET and NPN Bipolar Transistor  
15V, 10 to 32mA, 50V, 150mA, Composite type, CPH5  
http://onsemi.com  
Features  
•
Composite type with J-FET and NPN transistors contained in the CPH5 package, improving the mounting  
efficiency greatly  
•
•
The CPH5905 contains a 2SK3357-equivalent chip and a 2SC4639-equivalent chip in one package  
Drain and emitter are shared  
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
[FET]  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Drain Voltage  
Gate Current  
V
15  
--15  
10  
V
V
DSX  
V
GDS  
I
G
mA  
mA  
mW  
Drain Current  
I
D
50  
Allowable Power Dissipation  
[TR]  
P
Mounted on a ceramic board (600mm2 0.8mm)  
350  
×
D
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
55  
50  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
6
V
I
C
150  
300  
30  
mA  
mA  
mA  
mW  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
CP  
I
B
Collector Dissipation  
[TR]  
P
Mounted on a ceramic board (600mm2 0.8mm)  
350  
×
C
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
Mounted on a ceramic board (600mm2 0.8mm)  
500  
150  
mW  
×
T
Tj  
C
C
°
°
Tstg  
--55 to +150  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Product & Package Information  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
• Package  
: CPH5  
7017A-007  
• JEITA, JEDEC  
: SC-74A, SOT-25  
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel  
CPH5905G-TL-E  
CPH5905H-TL-E  
0.15  
0.05  
2.9  
Packing Type : TL  
Marking  
5
4
3
2
TL  
1
1 : Collector  
2 : Gate  
3 : Source  
4 : Emitter/Drain  
5 : Base  
0.95  
0.4  
Electrical Connection  
5
4
3
CPH5  
1
2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
August, 2013  
60612 TKIM/62005AC MSIM TB-00001552/22802 TSIM TA-49 No.7177-1/8  
12345678

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与CPH5905G-TL-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPH5905H ONSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPH5,
CPH5905H-TL-E ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 JFET 和 NPN 双极晶体管，15V，10 至 32mA，50V，150mA
CPH5905H-TL-E SANYO

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 		High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifi er Applications
CPH6001 SANYO

获取价格

 		High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications
CPH6001A SANYO

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications
CPH6001A_12 SANYO

获取价格

 		High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications
CPH6001A-TL-E ONSEMI

获取价格

 		射频晶体管，12 V，100 mA，fT = 6.7 GHz
CPH6002 SANYO

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Medium-Power Amplifier Applications
CPH6003A SANYO

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CPH6003A_12 SANYO

获取价格

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