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CPH6121

更新时间： 2024-11-09 12:50:15
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三洋 - SANYO 转换器
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
DC / DC Converter Applications

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CPH6121 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.54
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：380 MHzBase Number Matches：1

CPH6121 数据手册

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Ordering number : ENN7260  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
CPH6121  
DC / DC Converter Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.  
2146A  
Features  
[CPH6121]  
0.15  
2.9  
•
Adoption of MBIT process.  
High current capacitance.  
5
6
1
4
•
•
Low collector-to-emitter saturation voltage.  
0.05  
•
High speed switching.  
•
Ultrasmall-sized package permitting applied sets to  
be made small and slim (0.9mm).  
2
3
0.95  
•
1 : Collector  
2 : Collector  
3 : Base  
High allowable power dissipation.  
4 : Emitter  
5 : Collector  
6 : Collector  
0.4  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
SANYO : CPH6  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
--15  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
--12  
V
-- 5  
V
I
-- 3  
A
C
Collector Current(Pulse)  
Base Current  
I
-- 5  
A
CP  
I
B
--600  
1.3  
mA  
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8mm)  
C
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
--0.1  
I
V
V
V
V
V
=--12V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=--4V, I =0  
--0.1  
560  
EBO  
C
h
FE  
=--2V, I =--500mA  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=--2V, I =--500mA  
C
380  
MHz  
pF  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
40  
--110  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Marking : AV  
V
V
(sat)  
(sat)  
I
C
I
C
=--1.5A, I =--30mA  
--165  
--1.2  
mV  
V
CE  
B
=--1.5A, I =--30mA  
--0.85  
BE  
B
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
42503 TS IM TA-100027 No.7260-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPH6121-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, -12V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single CPH6, CPH6, 3000-REEL
CPH6122 SANYO

获取价格

 		CPH6122
CPH6122_06 SANYO

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CPH6122-TL-E ONSEMI

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