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CPH6122

更新时间： 2024-11-09 09:30:23
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三洋 - SANYO /
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3页 311K
描述
CPH6122

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CPH6122 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.56
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHz

CPH6122 数据手册

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注文コードNo. N 7 2 2 5  
N 7225  
72602  
PNP エピタキシャルプレーナ形シリコントランジスタ  
CPH6122  
用途 ・リレードライブ,ランプドライブ,モータドライブ、ストロボ。  
DC /DC コンバータ用  
特長 ・M BIT プロセス採用。  
・電流容量が大きい。  
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い。  
・スイッチングスピードが速い。  
・超小型パッケージのため、セットの小型化、薄型化が可能である(実装高0.9m m )。  
・許容損失が大きい。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
－30  
CBO  
CEO  
EBO  
－30  
V
－5  
A
I
C
－3  
－5  
A
コレクタ電流(パルス)  
ベース電流  
I
A
CP  
I
B
－600  
m A  
W
コレクタ損失  
P
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )装着時  
1.3  
C
接合部温度  
Tj  
150  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics /Ta=25℃  
m in  
200  
typ  
m ax unit  
コレクタしゃ断電流  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
利得帯域幅積  
I
V
V
V
V
V
=－30V,I =0  
E
－0.1  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
I
EBO  
=－4V,I =0  
C
－0.1  
560  
h
=－2V,I =－500m A  
C
FE  
f
T
=－10V,I =－500m A  
C
400  
25  
M Hz  
pF  
出力容量  
Cob  
=－10V,f=1M Hz  
次ページへ続く。  
単体品名表示：AW  
外形図ꢀ2146A  
(unit:m m )  
0.15  
2.9  
5
6
4
0.05  
1
2
3
0.95  
1:Collector  
2:Collector  
3:Base  
4:Em itter  
5:Collector  
6:Collector  
0.4  
SANYO :CPH6  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
72602TS IM ◎佐藤TA-100026 No.7225-1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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