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CPDQR12V

更新时间: 2024-11-21 06:48:27
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上华 - COMCHIP 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 185K
描述
SMD ESD Protection Diode

CPDQR12V 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, 0402, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.58Is Samacsys:N
最小击穿电压:13 V击穿电压标称值:17 V
最大钳位电压:25 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N2JESD-609代码:e4
最大非重复峰值反向功率耗散:25 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Gold (Au)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

CPDQR12V 数据手册

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SMD ESD Protection Diode  
SMD Diodes Specialist  
(RoHS Device)  
CPDQR12V  
Features  
Bi-diretional ESD protection.  
(16kV) IEC 61000-4-2 rating.  
Surface mount package.  
0402(1005)  
Ultra small SMD package:0402.  
High component density.  
0.041(1.05)  
0.037(0.95)  
Mechanical data  
0.026(0.65)  
0.022(0.55)  
Case: 0402(1005) standard package,  
molded plastic.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
Marking Code:  
CPDQR12V: E2  
0.012(0.30) Typ.  
Mounting position: Any.  
Weight: 0.001 gram(approx.).  
0.020(0.50) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
O
Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)  
Typ  
Symbol Min  
Max Unit  
Parameter  
Diode breakdown voltage  
Conditions  
IR = 1mA  
VBD  
13  
V
17  
0.1  
12  
Leakage current  
VR = 12V  
IL  
2.0  
uA  
pF  
Junction capacitance  
VR = 0V,f =1MHz  
CT  
IEC 61000-4-2(air)  
IEC 61000-4-2(contact)  
16  
8
ESD capability  
ESD  
kV  
Clamping voltage  
IPP = 1A,TP=8/20us  
TP=8/20us  
VC  
PPP  
Tj  
25  
25  
V
Peak pulse power  
W
O
Operation temperature  
Storage temperature  
125  
150  
C
O
TSTG  
-55  
C
REV:A  
Page 1  
QW-A7024  
Comchip Technology CO., LTD.  

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