CPDQR12V0U

更新时间： 2024-11-21 06:48:27

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上华 - COMCHIP		瞬态抑制器二极管
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SMD ESD Protection Diode

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CPDQR12V0U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	击穿电压标称值：	15.5 V
最大钳位电压：	24 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性：	UNIDIRECTIONAL	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

CPDQR12V0U 数据手册

SMD ESD Protection Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CPDQR12V0U

Features

Uni-diretional ESD protection.

(16kV) IEC 61000-4-2 rating.

Surface mount package.

Ultra small SMD package:0402.

High component density.

0402(1005)

0.041(1.05)

0.037(0.95)

0.026(0.65)

0.022(0.55)

Mechanical data

Case: 0402(1005) standard package,

molded plastic.

0.022(0.55)

0.018(0.45)

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

0.012(0.30) Typ.

Marking Code: Cathode band & E2

Mounting position: Any.

Weight: 0.001 gram(approx.).

0.020(0.50) Typ.

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating AND Electrical Characteristics

(at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

0.8

Symbol Min

Max Unit

Parameter

Conditions

Forward voltage

IF = 10mA

IR = 1mA

VR = 12V

VBD

Diode breakdown voltage

Leakage current

13.3

15.5

0.1

17.5

1.0

Junction capacitance

VR = 0V,f = 1MHz

IEC 61000-4-2(air)

ESD capability

ESD

IEC 61000-4-2(contact)

IPP = 1A,TP=8/20us

IPP = 5A,TP=8/20us

Clamping voltage

Peak pulse power

PPP

120

125

150

Operation temperature

Storage temperature

TSTG

-55

REV:A

Page 1

QW-A7023

Comchip Technology CO., LTD.

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