CPDQR5V0HE-HF

更新时间： 2024-11-18 13:07:03

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上华 - COMCHIP		瞬态抑制器二极管
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4页	185K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 128W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

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CPDQR5V0HE-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	7.9	最小击穿电压：	5.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值反向功率耗散：	128 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	BIDIRECTIONAL	参考标准：	IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Gold (Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

CPDQR5V0HE-HF 数据手册

SMD ESD Protection Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CPDQR5V0

Features

Bi-directional ESD protection.

(16kV) IEC 61000-4-2 rating.

Surface mount package.

0402(1005)

Ultra small SMD package:0402.

High component density.

0.041(1.05)

0.037(0.95)

Mechanical data

0.026(0.65)

0.022(0.55)

Case: 0402(1005) standard package,

molded plastic.

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

0.022(0.55)

0.018(0.45)

Marking Code:

CPDQR5V0: E5

0.012(0.30) Typ.

Mounting position: Any.

Weight: 0.001 gram(approx.).

0.020(0.50) Typ.

Dimensions in inches and (millimeter)

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

Symbol Min

Max Unit

Parameter

Diode breakdown voltage

Conditions

IR = 1mA

VBD

5.1

7.0

Leakage current

VR = 5V

0.1

2.0

Junction capacitance

VR =0V,f =1MHz

IEC 61000-4-2(air)

IEC 61000-4-2(contact)

ESD capability

ESD

Clamping voltage

IPP = 5A,TP=8/20us

TP=8/20us

PPP

Peak pulse power

Operation temperature

Storage temperature

125

150

TSTG

-55

REV:D

Page 1

QW-A7013

Comchip Technology CO., LTD.

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