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CPDQR5V0U

更新时间： 2024-11-21 12:56:19
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上华 - COMCHIP 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
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4页 192K
描述
SMD ESD Protection Diode

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CPDQR5V0U 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：7.75Is Samacsys：N
最小击穿电压：6 V最大钳位电压：12.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-N2
JESD-609代码：e4最大非重复峰值反向功率耗散：200 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压：5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Gold (Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

CPDQR5V0U 数据手册

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SMD ESD Protection Diode  
SMD Diodes Specialist  
(RoHS Device)  
CPDQR5V0U  
Features  
Uni-directional ESD protection.  
(16kV) IEC 61000-4-2 rating.  
Surface mount package.  
Ultra small SMD package:0402.  
High component density.  
0402(1005)  
0.041(1.05)  
0.037(0.95)  
0.026(0.65)  
0.022(0.55)  
Mechanical data  
Case: 0402(1005) standard package,  
molded plastic.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
Marking Code:  
CPDQR5V0U: E5  
0.012(0.30) Typ.  
Mounting position: Any.  
Weight: 0.001 gram(approx.).  
0.020(0.50) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Rating AND Electrical Characteristics  
O
(at TA=25 C unless otherwise noted)  
Typ  
Symbol Min  
Max Unit  
Parameter  
Conditions  
Forward voltage  
IF = 10mA  
IR = 1mA  
VR = 5V  
VF  
VBD  
IL  
0.8  
V
Diode breakdown voltage  
Leakage current  
6
V
0.3  
90  
2.0  
uA  
pF  
Junction capacitance  
VR = 0V,f = 1MHz  
CT  
120  
IEC 61000-4-2(air)  
20  
15  
ESD capability  
ESD  
VC  
kV  
IEC 61000-4-2(contact)  
IPP = 5A,TP=8/20us  
IPP = 16A,TP=8/20us  
9.8  
Clamping voltage  
V
12.5  
Peak pulse power  
PPP  
TJ  
200  
125  
150  
W
O
Operation temperature  
Storage temperature  
C
O
TSTG  
-55  
C
REV:D  
Page 1  
QW-A7014  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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CPDQR5V0U 替代型号

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