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CPDQR12V-HF

更新时间: 2024-11-18 06:48:27
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上华 - COMCHIP 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 185K
描述
SMD ESD Protection Diode

CPDQR12V-HF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.57
Is Samacsys:N最小击穿电压:13 V
击穿电压标称值:17 V最大钳位电压:25 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PBCC-N2
JESD-609代码:e4最大非重复峰值反向功率耗散:25 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL参考标准:IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压:12 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Gold (Au)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

CPDQR12V-HF 数据手册

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SMD ESD Protection Diode  
SMD Diodes Specialist  
(RoHS Device)  
CPDQR12V-HF  
Features  
Halogen free.  
Bi-directional ESD protection.  
(16kV) IEC 61000-4-2 rating.  
Surface mount package.  
Ultra small SMD package:0402.  
High component density.  
0402(1005)  
0.041(1.05)  
0.037(0.95)  
0.026(0.65)  
0.022(0.55)  
Mechanical data  
Case: 0402(1005) standard package,  
molded plastic.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
Marking Code:  
0.012(0.30) Typ.  
CPDQR12V-HF: E2  
Mounting position: Any.  
Weight: 0.001 gram(approx.).  
0.020(0.50) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
O
Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)  
Typ  
Symbol Min  
Max Unit  
Parameter  
Diode breakdown voltage  
Conditions  
IR = 1mA  
VBD  
13  
V
17  
0.1  
12  
Leakage current  
VR = 12V  
IL  
2.0  
uA  
pF  
Junction capacitance  
VR = 0V,f =1MHz  
CT  
IEC 61000-4-2(air)  
IEC 61000-4-2(contact)  
16  
8
ESD capability  
ESD  
kV  
Clamping voltage  
IPP = 1A,TP=8/20us  
TP=8/20us  
VC  
PPP  
Tj  
25  
25  
V
Peak pulse power  
W
O
Operation temperature  
Storage temperature  
125  
150  
C
O
TSTG  
-55  
C
REV:A  
Page 1  
QW-G7017  
Comchip Technology CO., LTD.  

CPDQR12V-HF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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