CPDQR5V0

更新时间： 2024-11-18 06:48:27

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上华 - COMCHIP		瞬态抑制器二极管
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描述
SMD ESD Protection Diode

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CPDQR5V0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	7.72
Is Samacsys：	N	击穿电压标称值：	7 V
最大钳位电压：	15 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性：	BIDIRECTIONAL	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

CPDQR5V0 数据手册

SMD ESD Protection Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CPDQR5V0

Features

Bi-directional ESD protection.

(16kV) IEC 61000-4-2 rating.

Surface mount package.

0402(1005)

Ultra small SMD package:0402.

High component density.

0.041(1.05)

0.037(0.95)

Mechanical data

0.026(0.65)

0.022(0.55)

Case: 0402(1005) standard package,

molded plastic.

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

0.022(0.55)

0.018(0.45)

Marking Code:

CPDQR5V0: E5

0.012(0.30) Typ.

Mounting position: Any.

Weight: 0.001 gram(approx.).

0.020(0.50) Typ.

Dimensions in inches and (millimeter)

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

Symbol Min

Max Unit

Parameter

Diode breakdown voltage

Conditions

IR = 1mA

VBD

5.1

7.0

Leakage current

VR = 5V

0.1

2.0

Junction capacitance

VR =0V,f =1MHz

IEC 61000-4-2(air)

IEC 61000-4-2(contact)

ESD capability

ESD

Clamping voltage

IPP = 5A,TP=8/20us

TP=8/20us

PPP

Peak pulse power

Operation temperature

Storage temperature

125

150

TSTG

-55

REV:D

Page 1

QW-A7013

Comchip Technology CO., LTD.

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