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CMRDM3575_11

更新时间： 2024-09-20 12:50:51
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CENTRAL /
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2页 421K
描述
SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS

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CMRDM3575_11 数据手册

 浏览型号CMRDM3575_11的Datasheet PDF文件第2页 
CMRDM3575  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3575  
consists of complementary N-Channel and P-Channel  
Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for  
high speed pulsed amplifier and driver applications.  
COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS  
These MOSFETs offer Low r  
Threshold Voltage.  
and Low  
DS(ON)  
MARKING CODE: CT  
FEATURES:  
• Power Dissipation: 125mW  
SOT-963 CASE  
• Low Package Profile: 0.5mm (MAX)  
• Low r  
• Low Threshold Voltage  
• Logic Level Compatible  
• Device is Halogen Free by design  
APPLICATIONS:  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Devices  
DS(ON)  
• Small SOT-963 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
SYMBOL N-CH (Q1) P-CH (Q2)  
UNITS  
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
A
V
V
I
I
20  
8.0  
DS  
GS  
D
D
D
stg  
160  
200  
140  
180  
Continuous Drain Current, t <5.0s  
p
Power Dissipation  
P
125  
-65 to +150  
1000  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
N-CH (Q1)  
MIN TYP MAX  
P-CH (Q2)  
MIN TYP MAX  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
I
I
, I  
V
=5.0V, V =0  
-
-
-
20  
-
-
-
-
100  
50  
100  
-
1.0  
3.0  
4.0  
6.0  
10  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20  
-
-
-
-
100  
50  
100  
-
1.0  
5.0  
7.0  
10  
17  
-
-
-
-
-
-
-
nA  
GSSF GSSR GS  
DSS  
DSS  
DS  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, V =0  
GS  
GS  
=0, I =250μA  
nA  
nA  
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nC  
nC  
nC  
S
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
DS  
DS  
GS  
=16V, V =0  
BV  
V
DSS  
GS(th)  
D
=V  
I =250μA  
=4.5V, I =100mA  
0.4  
-
0.4  
-
DS GS, D  
r
r
r
r
r
Q
Q
Q
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
2.0  
3.0  
4.0  
7.0  
0.458  
0.176  
0.138  
1.3  
2.2  
9.0  
3.0  
40  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0  
5.5  
8.0  
11  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =50mA  
=1.8V, I =20mA  
=1.5V, I =10mA  
=1.2V, I =1.0mA  
=10V, V =4.5V, I =100mA  
=10V, V =4.5V, I =100mA  
=10V, V =4.5V, I =100mA  
GS  
=5.0V, I =125mA  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
=10V, V =4.5V, I =200mA  
D
D
D
D
GS  
GS  
20  
0.536  
0.292  
0.236  
1.3  
1.0  
12  
2.7  
60  
210  
g(tot)  
gs  
D
D
D
gd  
FS  
rss  
iss  
oss  
g
D
GS  
GS  
GS  
C
C
C
t
t
-
-
-
-
-
on  
off  
GS  
D
D
=10V, V =4.5V, I =200mA  
GS  
150  
R2 (2-August 2011)  
12

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