5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> CMRDM3575BKPBFREE
CMRDM3575BKPBFREE PDF预览

CMRDM3575BKPBFREE

更新时间： 2024-09-20 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 420K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

CMRDM3575BKPBFREE 数据手册

 浏览型号CMRDM3575BKPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMRDM3575  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3575  
consists of complementary N-Channel and P-Channel  
Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for  
high speed pulsed amplifier and driver applications.  
COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS  
These MOSFETs offer Low r  
Threshold Voltage.  
and Low  
DS(ON)  
MARKING CODE: CT  
FEATURES:  
• Power Dissipation: 125mW  
SOT-963 CASE  
• Device is Halogen Free by design  
• Low Package Profile: 0.5mm (MAX)  
• Low r  
APPLICATIONS:  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Devices  
DS(ON)  
• Low Threshold Voltage  
• Logic Level Compatible  
• Small SOT-963 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
SYMBOL N-CH (Q1) P-CH (Q2)  
UNITS  
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
A
V
V
I
I
P
20  
8.0  
DS  
GS  
D
D
D
stg  
160  
200  
140  
180  
Continuous Drain Current, t <5.0s  
p
Power Dissipation  
125  
-65 to +150  
1000  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
N-CH (Q1)  
MIN TYP MAX  
P-CH (Q2)  
MIN TYP MAX  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=5.0V, V =0  
UNITS  
nA  
I
I
I
, I  
V
-
-
100  
50  
100  
-
-
-
100  
50  
100  
-
GSSF GSSR GS  
DS  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, V =0  
-
-
-
-
nA  
nA  
V
DSS  
DSS  
DS  
DS  
GS  
GS  
=16V, V =0  
-
-
-
-
GS  
=0, I =250μA  
BV  
20  
-
20  
-
DSS  
D
V
=V  
I =250μA  
0.4  
-
1.0  
3.0  
4.0  
6.0  
10  
-
0.4  
-
1.0  
5.0  
7.0  
10  
17  
-
V
GS(th)  
DS GS, D  
r
r
r
r
r
=4.5V, I =100mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
2.0  
3.0  
4.0  
7.0  
1.3  
2.2  
9.0  
3.0  
40  
150  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0  
5.5  
8.0  
11  
20  
1.3  
1.0  
12  
2.7  
60  
210  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =50mA  
Ω
D
=1.8V, I =20mA  
Ω
D
=1.5V, I =10mA  
Ω
D
=1.2V, I =1.0mA  
Ω
D
g
=5.0V, I =125mA  
-
-
S
FS  
D
C
C
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
rss  
iss  
GS  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
-
-
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
oss  
GS  
t
t
=10V, V =4.5V, I =200mA  
GS  
-
-
on  
off  
D
=10V, V =4.5V, I =200mA  
-
-
GS  
D
R1 (8-February 2010)  
12

中文翻译

下载PDF

与CMRDM3575BKPBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMRDM3575PBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMRDM3575TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMRDM3575TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMRDM3575TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMRDM3590 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMRDM3590_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS
CMRDM3590_12 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMRDM3590TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMRDM3590TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
CMRDM3590TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与CMRDM3575BKPBFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证