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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CMRDM3590TRPBFREE
CMRDM3590TRPBFREE PDF预览

CMRDM3590TRPBFREE

更新时间： 2024-09-20 13:00:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 605K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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CMRDM3590TRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.16 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

CMRDM3590TRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMRDM3590TRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMRDM3590  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
DUAL N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3590 is  
an Enhancement-mode Dual N-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications. This MOSFET offers Low r  
and Low Threshold Voltage.  
DS(ON)  
• Device is Halogen Free by design  
MARKING CODE: CR  
FEATURES:  
SOT-963 CASE  
• Power Dissipation: 125mW  
• Low Package Profile: 0.5mm (MAX)  
• Low r  
APPLICATIONS:  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Devices  
DS(ON)  
• Low Threshold Voltage  
• Logic Level Compatible  
• Small SOT-963 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
A
V
V
I
I
P
20  
8.0  
160  
200  
125  
DS  
GS  
D
D
Continuous Drain Current (t < 5s)  
p
Power Dissipation  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
1000  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
100  
50  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
nA  
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
S
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, V =0V  
GSSF  
GSSR  
DSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
=5.0V, V =0V  
DS  
=5.0V, V =0V  
GS  
=16V, V =0V  
GS  
100  
DSS  
BV  
=0V, I =250μA  
20  
0.4  
DSS  
GS(th)  
D
V
=V , I =250μA  
1.0  
3.0  
4.0  
6.0  
10  
DS GS  
D
D
D
D
D
D
r
r
r
r
r
=4.5V, I =100mA  
1.5  
2.0  
3.0  
4.0  
7.0  
1.3  
2.2  
9.0  
3.0  
40  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
FS  
rss  
iss  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
=2.5V, I =50mA  
=1.8V, I =20mA  
=1.5V, I =10mA  
=1.2V, I =1mA  
g
=5.0V, I =125mA  
D
C
C
C
=15V, V =0V, f=1.0MHz  
GS  
=15V, V =0V, f=1.0MHz  
GS  
=15V, V =0V, f=1.0MHz  
oss  
GS  
GS  
t
t
=10V, V =4.5V, I =200mA  
=10V, V =4.5V, I =200mA  
GS  
on  
off  
D
D
150  
R2 (25-February 2009)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMRDM7590 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMRDM7590BKLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CMRDM7590BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMRDM7590TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
CMRDM7590TRPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
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