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Datasheet > 暂无类别数据> CMRDM3575TRPBFREE
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CMRDM3575TRPBFREE

更新时间： 2024-11-08 13:06:59
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CMRDM3575TRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMRDM3575TRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMRDM3575  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3575  
consists of complementary N-Channel and P-Channel  
Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for  
high speed pulsed amplifier and driver applications.  
COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS  
These MOSFETs offer Low r  
Threshold Voltage.  
and Low  
DS(ON)  
MARKING CODE: CT  
FEATURES:  
• Power Dissipation: 125mW  
SOT-963 CASE  
• Device is Halogen Free by design  
• Low Package Profile: 0.5mm (MAX)  
• Low r  
APPLICATIONS:  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Devices  
DS(ON)  
• Low Threshold Voltage  
• Logic Level Compatible  
• Small SOT-963 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
SYMBOL N-CH (Q1) P-CH (Q2)  
UNITS  
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
A
V
V
I
I
P
20  
8.0  
DS  
GS  
D
D
D
stg  
160  
200  
140  
180  
Continuous Drain Current, t <5.0s  
p
Power Dissipation  
125  
-65 to +150  
1000  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
N-CH (Q1)  
MIN TYP MAX  
P-CH (Q2)  
MIN TYP MAX  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=5.0V, V =0  
UNITS  
nA  
I
I
I
, I  
V
-
-
100  
50  
100  
-
-
-
100  
50  
100  
-
GSSF GSSR GS  
DS  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, V =0  
-
-
-
-
nA  
nA  
V
DSS  
DSS  
DS  
DS  
GS  
GS  
=16V, V =0  
-
-
-
-
GS  
=0, I =250μA  
BV  
20  
-
20  
-
DSS  
D
V
=V  
I =250μA  
0.4  
-
1.0  
3.0  
4.0  
6.0  
10  
-
0.4  
-
1.0  
5.0  
7.0  
10  
17  
-
V
GS(th)  
DS GS, D  
r
r
r
r
r
=4.5V, I =100mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
2.0  
3.0  
4.0  
7.0  
1.3  
2.2  
9.0  
3.0  
40  
150  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0  
5.5  
8.0  
11  
20  
1.3  
1.0  
12  
2.7  
60  
210  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =50mA  
Ω
D
=1.8V, I =20mA  
Ω
D
=1.5V, I =10mA  
Ω
D
=1.2V, I =1.0mA  
Ω
D
g
=5.0V, I =125mA  
-
-
S
FS  
D
C
C
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
rss  
iss  
GS  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
-
-
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
oss  
GS  
t
t
=10V, V =4.5V, I =200mA  
GS  
-
-
on  
off  
D
=10V, V =4.5V, I =200mA  
-
-
GS  
D
R1 (8-February 2010)  
12

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与CMRDM3575TRPBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMRDM3590 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMRDM3590_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS
CMRDM3590_12 CENTRAL

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CMRDM3590TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMRDM3590TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
CMRDM3590TRPBFREE CENTRAL

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CMRDM7590 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS
CMRDM7590_12 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMRDM7590BKLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CMRDM7590BKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,

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