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CJK3400

更新时间： 2024-11-27 14:53:07

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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描述
SOT-23-3L

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CJK3400 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJK3400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

SOT-23-3L

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

@ 10V

35m

40mΩ 4.5V

5.8A

1. GATE

52mΩ 2.5V

2. SOURCE

3. DRAIN

FEATURE

z High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

APPLICATION

Load/Power Switching

Interfacing Switching

z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

MARKING

Equivalent Circuit

R0=Device code

Maximum ratings ( T_a=25℃ unless otherwise noted)

Unit

Parameter

Symbol

Value

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±12

Continuous Drain Current

5.8

①

Drain Current-Pulsed

I_DM

④

Power Dissipation

P_D

1.25

100

℃/W

℃

④

Thermal Resistance from Junction to Ambient

R_θJA

T_J,T_STG

Operation Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

www.jscj-elec.com

Rev. - 1.0

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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