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CJK3400

更新时间： 2023-12-06 20:02:25
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江苏长电/长晶 - CJ /
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SOT-23-3L

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CJK3400 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS  
CJK3400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
SOT-23-3L  
ID  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
@ 10V  
Ω
35m  
@
40mΩ 4.5V  
V
30  
5.8A  
1. GATE  
@
52mΩ 2.5V  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
FEATURE  
z High dense cell design for extremely low RDS(ON)  
APPLICATION  
z
z
Load/Power Switching  
Interfacing Switching  
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability  
MARKING  
Equivalent Circuit  
R0=Device code  
Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Unit  
Parameter  
Symbol  
Value  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
30  
±12  
V
V
Continuous Drain Current  
5.8  
A
①
Drain Current-Pulsed  
IDM  
30  
A
④
Power Dissipation  
PD  
1.25  
100  
W
℃/W  
℃
④
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
RθJA  
TJ,TSTG  
Operation Junction and Storage Temperature Range  
-55~+150  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 1.0  
123456

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