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CJK3407

更新时间： 2024-11-27 14:53:47

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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5页	661K
描述
SOT-23-3L

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CJK3407 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJK3407 ^{P-Channel 30-V(D-S) MOSFET}

SOT-23-3L

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

60mΩ@

-10 V

-4.1A

-30V

87mΩ

-4.5V

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN D

General Description

The CJK3407 uses advanced trench technology to provide excellent

R_DS(on)with low gate charge. This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.

Equivalent Circuit

MARKING

Maximum ratings (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Units

Drain-Source voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-30

±20

Continuous Drain Current

Drain Current-Pulsed

-4.1

I_DM

P_D

-20

Power Dissipation

300

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_J

417

150

Storage Temperature

T_STG

-55~ +150

℃

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4 5

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