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CJK3401AH

更新时间： 2024-11-27 14:52:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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5页	2703K
描述
SOT-23-3L

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CJK3401AH 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJK3401AH ^{P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor}

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT-23-3L

50mΩ@

-10V

-4.2A

-30V

mΩ@-4.5V

mΩ@-2.5V

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

FEATURE

APPLICATION

High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum

DC current capability

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

Equivalent Circuit

MARKING

R1H

Maximum ratings ( T_a=25℃ unless otherwise noted)

Unit

Value

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-30

±12

Continuous Drain Current

-4.2

I_DM

Drain Current-Pulsed (note 1)

-27

Power Dissipation(note 2)

P_D

1.4

Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2)

Operation Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

℃/W

℃

T_J,T_STG

-55~+150

Rev. - 2.3

www.jscj-elec.com

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