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CJL2019

更新时间： 2024-11-06 14:55:47

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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5页	2618K
描述
SOT-23-6L

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CJL2019 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJL2019

Dual N-Channel MOSFET

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)TYP

-23-6L

SOT

mΩ 4.5V

19.5

Ω 2.5V

FEATURE

APPLICATION

z TrenchFET Power MOSFET

z Excellent R_DS(on)

z Battery Protection

z Load Switch

z Low Gate Charge

z Power Management

z High Power and Current Handing Capability

z Surface Mount Package

Equivalent Circuit

MARKING

D1,D2

L2019=Device code

Solid point=Pin1 positioning point

L2019

XX=Date Code

D1,D2

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±10

Continuous Drain Current (TA=25℃)

Pulsed Drain Current (note 1)

I_DM

Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2)

Operation Junction and Storage Temperature Range

Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s)

R_θJA

T_J,T_STG

T_L

83.3

-55~+150

260

℃/W

℃

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4 5

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