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CJK3401

更新时间： 2023-12-06 20:02:59

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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6页	905K
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SOT-23-3L

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CJK3401 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJK3401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

SOT-23-3L

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

@-10V

65m

@-4.5V

75mΩ

-30

-4.2A

1. GATE

@-2.5V

90mΩ

2. SOURCE

3. DRAIN

APPLICATION

FEATURE

z High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

Load/Power Switching

Interfacing Switching

z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

MARKING

Equivalent Circuit

R1=Device code

Maximum ratings ( T_a=25℃ unless otherwise noted)

Value

Symbol

Parameter

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-30

±12

-4.2

Continuous Drain Current

①

I_DM

-16.8

Pulsed Drain Current

②

Power Dissipation

P_D

1.25

100

℃/W

℃

②

Thermal Resistance from Junction to Ambient

R_θJA

T_J,T_STG

-55~+150

Operation Junction and Storage Temperature Range

www.jscj-elec.com

Rev. - 1.0

12 3 4 5 6

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