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CJK3400A

更新时间： 2023-12-06 20:03:44
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
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5页 960K
描述
SOT-23-3L

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CJK3400A 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS  
CJK3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
ID  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
SOT-23-3L  
@10V  
Ω
32m  
@
V
30  
38mΩ 4.5V  
5.8A  
@
45mΩ 2.5V  
1. GATE  
2. SOURCE  
3. DRAIN D  
FEATURE  
APPLICATION  
z High dense cell design for extremely low RDS(ON)  
z
z
Load/Power Switching  
Interfacing Switching  
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability  
Equivalent Circuit  
MARKING  
R0A  
Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
Unit  
Parameter  
Value  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
30  
±12  
V
V
Continuous Drain Current  
5.8  
A
Drain Current-Pulsed (note 1)  
IDM  
30  
A
Power Dissipation  
PD  
450  
mW  
℃/W  
℃
Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2)  
Operation Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
TJ,TSTG  
278  
-55~+150  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.1  
12345

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