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BYG10J-M3/TR3

更新时间： 2024-10-29 21:14:27

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威世 - VISHAY		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	92K
描述
DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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BYG10J-M3/TR3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.58
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	4 µs
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BYG10J-M3/TR3 数据手册

BYG10D, BYG10G, BYG10J, BYG10K, BYG10M, BYG10Y

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Standard Avalanche SMD Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Controlled avalanche characteristics

• Glass passivated junction

• Low reverse current

• High surge current capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

DO-214AC (SMA)

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer, automotive, and telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.5 A

200 V, 400 V, 600 V, 800 V,

1000 V, 1600 V

V_RRM

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_FSM

30 A

1.0 μA

I_R

V_F

1.15 V

Base P/N-M3

commercial grade

Base P/NHM3

AEC-Q101 qualified

halogen-free, RoHS-compliant, and

E_R

20 mJ

T_Jmax.

Package

Diode variations

150 °C

halogen-free, RoHS-compliant, and

DO-214AC (SMA)

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002

and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

Note

•

BYG10Y for commercial grade only

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y UNIT

Device marking code

BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y

Maximum repetitive peak reverse voltage

Average forward current

V_RRM

I_F(AV)

200

400

600

800

1000

1600

1.5

Peak forward surge current 10 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

Pulse energy in avalanche mode,

non repetitive (inductive load switch off)

E_R

°C

_(BR)R= 1 A, T_J= 25 °C (for BYG10D thru BYG10M)

_(BR)R= 0.4 A, T_J= 25 °C (for BYG10Y)

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Revision: 15-Jan-14

Document Number: 89472

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BYG10K	SUNMATE	获取价格	1.5A patch fast recovery diode 800V SMA series
BYG10K	TAYCHIPST	获取价格	Silicon Mesa SMD Rectifier
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BYG10KTR	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214

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