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BYG10M-E3 PDF预览

BYG10M-E3

更新时间： 2024-11-26 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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BYG10M-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SURGE CAPABILITY
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：4 µs
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BYG10M-E3 数据手册

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BYG10  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Standard Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• Controlled avalanche characteristics  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• High surge current capability  
• Wave and reflow solderable  
15811  
Applications  
Surface mounting  
General purpose rectifier  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
Package  
BYG10D  
BYG10G  
BYG10J  
BYG10K  
BYG10M  
BYG10Y  
VR = 200 V @ IFAV = 1.5 A  
DO-214AC  
V
V
V
R = 400 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 600 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 800 V @ IFAV = 1.5 A  
DO-214AC  
DO-214AC  
DO-214AC  
DO-214AC  
DO-214AC  
VR = 1000 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 1600 V @ IFAV = 1.5 A  
V
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
BYG10D  
VR = VRRM  
BYG10G  
BYG10J  
BYG10K  
BYG10M  
BYG10Y  
VR = VRRM  
400  
600  
V
V
V
V
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
800  
V
1000  
V
1600  
V
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half sinewave  
30  
A
IFAV  
1.5  
A
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 150  
°C  
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 25 °C  
BYG10D-  
BYG10M  
ER  
20  
mJ  
Document Number 86008  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
www.vishay.com  
1
12345

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与BYG10M-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG10M-HE3/TR VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10M-HE3/TR3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10M-M3/TR3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BYG10M-TR VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM),
BYG10Y GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION SURFACE MOUNTED RECTI
BYG10Y VISHAY

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 		Standard Avalanche SMD Rectifier
BYG10Y HOTTECH

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 		SMA(DO-214AC)
BYG10Y-E3/TR3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3/TR VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3/TR3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA

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