Datasheet > BYG10Y-E3/TR3

BYG10Y-E3/TR3

更新时间： 2024-09-26 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	103K
描述
DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BYG10Y-E3/TR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	1
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	最大反向恢复时间：	4 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BYG10Y-E3/TR3 数据手册

BYG10D, BYG10G, BYG10J, BYG10K, BYG10M, BYG10Y

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Standard Avalanche SMD Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Controlled avalanche characteristics

• Glass passivated pellet chip junction

Available

• Low reverse current

• High surge current capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

SMA (DO-214AC)

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHE3 or P/NHM3

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

TYPICAL APPLICATIONS

I_F(AV)

1.5 A

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer, automotive, and telecommunication.

200 V, 400 V, 600 V, 800 V,

1000 V, 1600 V

V_RRM

I_FSM

30 A

1.0 μA

MECHANICAL DATA

Case: SMA (DO-214AC)

I_R

V_F

E_R

1.15 V

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial

grade 

Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified

Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and

AEC-Q101 qualified

20 mJ



T_Jmax.

150 °C

Package

SMA (DO-214AC)

Single

Circuit configuration

(“_X” denotes revision code e.g. A, B,...)

Terminals: matte tin plated leads, solderable per J-STD-002

and JESD 22-B102

E3, M3, HE3, HM3 suffix meet JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y UNIT

Device marking code

BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y

Maximum repetitive peak reverse voltage

Average forward current

V_RRM

I_F(AV)

200

400

600

800

1000

1600

1.5

Peak forward surge current 10 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

Pulse energy in avalanche mode,

non repetitive (inductive load switch off)

E_R

°C

_(BR)R= 1 A, T_J= 25 °C (for BYG10D thru BYG10M)

_(BR)R= 0.4 A, T_J= 25 °C (for BYG10Y)

Operating junction and storage temperature range T_J, T_STG

-55 to +150

Revision: 15-May-2018

Document Number: 88957

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

BYG10Y-E3/TR3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BYG10Y	VISHAY	功能相似	Standard Avalanche SMD Rectifier

与BYG10Y-E3/TR3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYG10YHE3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3/TR3	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode,
BYG10YHM3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG10YHM3/TR3	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG10Y-M3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BYG10Y-M3/TR3	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BYG118A	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 824 MHz - 849 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
BYG118B	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 872 MHz - 905 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
BYG20	VISHAY	获取价格	Fast Silicon Mesa SMD Rectifier

与BYG10Y-E3/TR3相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

9
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

12
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

19

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BYG10Y-E3/TR3

BYG10Y-E3/TR3 技术参数

BYG10Y-E3/TR3 数据手册

BYG10Y-E3/TR3 替代型号

与BYG10Y-E3/TR3相关器件

与BYG10Y-E3/TR3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BYG10Y-E3/TR3

BYG10Y-E3/TR3 技术参数

BYG10Y-E3/TR3 数据手册

BYG10Y-E3/TR3 替代型号

与BYG10Y-E3/TR3相关器件

与BYG10Y-E3/TR3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？