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BYG20DHE3/TR

更新时间： 2024-01-16 08:32:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管光电二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 108K
描述
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier

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BYG20DHE3/TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.6
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.4 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYG20DHE3/TR 数据手册

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BYG20D thru BYG20J  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• Soft recovery characteristics  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
DO-214AC (SMA)  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
For use in high frequency rectification of power supply,  
inverters, converters and freewheeling diodes for  
consumer, automotive and telecommunication.  
IF(AV)  
1.5 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 600 V  
30 A  
1.0 µA  
1.4 V  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AC (SMA)  
VF  
trr  
75 ns  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
ER  
20 mJ  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
TJ max.  
150 °C  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
BYG20D  
BYG20D  
200  
BYG20G  
BYG20G  
400  
BYG20J  
BYG20J  
600  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
1.5  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
30  
A
Pulse energy in avalanche mode,  
non repetitive (inductive load switch off)  
ER  
20  
mJ  
°C  
I
(BR)R = 1 A, TJ = 25 °C  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Document Number: 88958  
Revision: 27-Aug-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与BYG20DHE3/TR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BYG20D-HE3/TR VISHAY DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA 2 PIN

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