生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.6 |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.15 V |
JEDEC-95代码: | DO-214AC | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 30 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 1.5 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 1600 V | 最大反向电流: | 1 µA |
最大反向恢复时间: | 4 µs | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYG10Y-M3/TR | VISHAY |
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DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, | |
BYG10Y-M3/TR3 | VISHAY |
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DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, | |
BYG118A | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 824 MHz - 849 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER | |
BYG118B | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 872 MHz - 905 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER | |
BYG20 | VISHAY |
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Fast Silicon Mesa SMD Rectifier | |
BYG20D | EIC |
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ULTRAFAST AVALANCHE RECTIFIERS | |
BYG20D | TSC |
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1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | |
BYG20D | SUNMATE |
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1.5A patch fast recovery diode 200V SMA series | |
BYG20D | LGE |
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Ultra Fast SMD Rectifiers | |
BYG20D | TAYCHIPST |
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Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |