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BYG10Y

更新时间： 2024-11-15 18:04:43
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描述
SMA(DO-214AC)

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BYG10Y 数据手册

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BYG10D thru BYG10Y  
RECTIFIER DIODE  
Features  
Controlled avalanche characteristics  
Glass passivated junction  
Low reverse current  
High surge current capability  
Wave and reflow solderable  
Mechanical Data  
SMA(DO-214AC)  
!
!
Case: SMA/DO-214AC, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
!
!
!
Weight: 0.064 grams (approx.)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y UNIT  
Device marking code  
BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
VRRM  
IF(AV)  
200  
400  
600  
800  
1000  
1600  
V
A
1.5  
30  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
A
Pulse energy in avalanche mode,  
non repetitive (inductive load switch off)  
ER  
20  
mJ  
°C  
I
(BR)R = 1 A, TJ = 25 °C (for BYG10D-BYG10M)  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y UNIT  
Maximum  
IF = 1 A  
IF = 1.5 A  
1.1  
1.15  
instantaneous  
TJ = 25 °C  
VF  
V
forward voltage (1)  
Maximum DC  
reverse current  
TJ = 25 °C  
TJ = 100 °C  
1
10  
V
R = VRRM  
IR  
µA  
µs  
Maximum reverse  
recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Irr = 0.25 A  
trr  
4
Note:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL BYG10D BYG10G BYG10J BYG10K BYG10M BYG10Y UNIT  
Typical thermal resistance, junction to lead  
RθJL  
25  
°C/W  
150 (1)  
125 (2)  
100 (3)  
Typical thermal resistance, junction to ambient  
RθJA  
°C/W  
Notes:  
(1) Mounted on epoxy-glass hard tissue  
(2) Mounted on epoxy-glass hard tissue, 50 mm2 35 µm Cu  
(3) Mounted on Al-oxide-ceramic (Al2O3), 50 mm2 35 µm Cu  
1 / 4  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
1234

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与BYG10Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG10Y-E3/TR3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3/TR VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3/TR3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG10YHE3_A/I VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode,
BYG10YHM3/TR VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG10YHM3/TR3 VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG10Y-M3/TR VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BYG10Y-M3/TR3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BYG118A NXP

获取价格

 		RF/Microwave Amplifier, 824 MHz - 849 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
BYG118B NXP

获取价格

 		RF/Microwave Amplifier, 872 MHz - 905 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER

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