BYG10KTR

更新时间： 2024-09-26 13:06:03

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威世 - VISHAY		/
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5页	63K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214

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BYG10KTR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	4 µs	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BYG10KTR 数据手册

BYG10

Vishay Telefunken

Silicon Mesa SMD Rectifier

Features

Controlled avalanche characteristics

Glass passivated junction

Low reverse current

High surge current capability

Wave and reflow solderable

15 811

Applications

Surface mounting

General purpose rectifier

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

200

400

600

800

1000

Unit

BYG10D

BYG10G

BYG10J

BYG10K

V =V

RRM

V =V

BYG10M V =V

Peak forward surge current

Average forward current

Junction and storage

temperature range

t =10ms,

half sinewave

FSM

1.5

–55...+150

FAV

T =T

stg

Pulse energy in avalanche mode,

non repetitive

=1A, T =25 C

(BR)R

(inductive load switch off)

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction lead

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue

Test Conditions

Symbol Value

Unit

K/W

T =const.

thJL

thJA

150

125

100

mounted on epoxy–glass hard tissue, 50mm 35 m Cu

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), 50mm 35 m Cu

Document Number 86008

Rev. 3, 24-Jun-98

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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