BYG10M-TR

更新时间： 2024-09-26 13:06:03

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威世 - VISHAY		/
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5页	63K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM),

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BYG10M-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1.5 A
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	4 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BYG10M-TR 数据手册

BYG10

Vishay Telefunken

Silicon Mesa SMD Rectifier

Features

Controlled avalanche characteristics

Glass passivated junction

Low reverse current

High surge current capability

Wave and reflow solderable

15 811

Applications

Surface mounting

General purpose rectifier

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

200

400

600

800

1000

Unit

BYG10D

BYG10G

BYG10J

BYG10K

V =V

RRM

V =V

BYG10M V =V

Peak forward surge current

Average forward current

Junction and storage

temperature range

t =10ms,

half sinewave

FSM

1.5

–55...+150

FAV

T =T

stg

Pulse energy in avalanche mode,

non repetitive

=1A, T =25 C

(BR)R

(inductive load switch off)

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction lead

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue

Test Conditions

Symbol Value

Unit

K/W

T =const.

thJL

thJA

150

125

100

mounted on epoxy–glass hard tissue, 50mm 35 m Cu

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), 50mm 35 m Cu

Document Number 86008

Rev. 3, 24-Jun-98

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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BYG10YHE3/TR3	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
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BYG10YHM3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG10YHM3/TR3	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYG10Y-M3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,