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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
1页 | 47K | |
描述 | ||
20A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.15 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 20 A |
集电极-发射极最大电压: | 250 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 1900 ns | VCEsat-Max: | 1.2 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUV52A | SEME-LAB |
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FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR | |
BUV56 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 | |
BUV60 | ONSEMI |
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SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | |
BUV60 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
BUV60 | MOTOROLA |
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50A, 125V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE | |
BUV61 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR | |
BUV61 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BUV62 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
BUV62_09 | SEME-LAB |
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FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | |
BUV62A | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |