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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 47K |  |
| 描述 | ||
| 20A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 1900 ns | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUV52A | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR |
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| BUV56 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
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| BUV60 | ONSEMI |
获取价格 |
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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| BUV60 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
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| BUV60 | MOTOROLA |
获取价格 |
50A, 125V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
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| BUV61 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| BUV61 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BUV62 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BUV62_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| BUV62A | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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