是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.33 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 125 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 250 W |
最大功率耗散 (Abs): | 250 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 1300 ns | VCEsat-Max: | 1.2 V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUV61 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
![]() |
BUV61 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
![]() |
BUV62 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
![]() |
BUV62_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
![]() |
BUV62A | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
![]() |
BUV62A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
![]() |
BUV66 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN |
![]() |
BUV70 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
![]() |
BUV70 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
![]() |
BUV71 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-258VAR |
![]() |