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BUV70

更新时间: 2024-11-18 06:44:51
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

BUV70 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.57
Base Number Matches:1

BUV70 数据手册

 浏览型号BUV70的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BUV70  
DESCRIPTION  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
: V(BR)CEO= 600V (Min)  
·High Power Dissipation  
·Fast Switching Speed  
APPLICATIONS  
·Designed for motor controls, switching mode power  
supplies applications.  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
1300  
600  
6
UNIT  
V
V
V
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Peak  
Base Current-Continuous  
Base Current-peak  
10  
A
ICM  
15  
A
IB  
3
A
IBM  
6
A
Collector Power Dissipation  
@TC=25  
PC  
140  
150  
-65~150  
W
Tj  
Junction Temperature  
Tstg  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX UNIT  
0.89  
/W  
Thermal Resistance,Junction to Case  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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