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BUV70

更新时间： 2024-09-23 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUV70 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BUV70 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV70

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 600V (Min)

·High Power Dissipation

·Fast Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for motor controls, switching mode power

supplies applications.

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1300

600

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

140

150

-65~150

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

0.89

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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