5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 34 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUV93 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 380V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-202 |
|
| BUV94 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202 |
|
| BUV95 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202 |
|
| BUV98AF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
|
| BUV98AV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN TRANSISTOR POWER MODULE |
|
| BUV98AV_03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN TRANSISTOR POWER MODULE |
|
| BUV98BV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ISOTOP-3 |
|
| BUV98CV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ISOTOP-3 |
|
| BUV98F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
|
| BUV98V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN TRANSISTOR POWER MODULE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
