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BUV98AV

更新时间: 2024-11-17 22:17:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
NPN TRANSISTOR POWER MODULE

BUV98AV 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:ISOTOP-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.73
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):30 A集电极-发射极最大电压:450 V
配置:SINGLE最大降落时间(tf):800 ns
JESD-30 代码:R-XUFM-X3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:150 W
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Nickel (Ni)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):5400 nsVCEsat-Max:5 V
Base Number Matches:1

BUV98AV 数据手册

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BUV98AV  
NPN TRANSISTOR POWER MODULE  
HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE  
VERY LOW Rth JUNCTION CASE  
SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD  
AREAS  
ISOLATED CASE (2500V RMS)  
EASY TO MOUNT  
LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE  
INDUSTRIAL APPLICATIONS:  
MOTOR CONTROL  
SMPS & UPS  
WELDING EQUIPMENT  
Pin 4 not connected  
ISOTOP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage (VBE = -5 V)  
Value  
1000  
450  
Unit  
VCEV  
V
V
VCEO(sus) Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
7
V
30  
A
Collector Peak Current (tp = 10 ms)  
Base Current  
60  
A
8
A
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base Peak Current (tp = 10 ms)  
16  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
oC  
oC  
oC  
Storage Temperature  
-55 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)  
VISO  
2500  
1/7  
September1997  

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BUW049-0528-07CB95 ACTEL

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IC Socket, BGA49, 49 Contact(s), ROHS COMPLIANT
BUW049-0528-07CB95L ACTEL

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IC Socket, BGA49, 49 Contact(s), ROHS COMPLIANT
BUW049-0529-07CB95 ACTEL

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IC Socket, BGA49, 49 Contact(s), ROHS COMPLIANT
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BUW049-0530-07CB95 ACTEL

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