BUV89

更新时间： 2024-09-23 12:50:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUV89 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV89

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 800V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in AC motor control systems from three-

phase mains.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector- Emitter Voltage V_BE=0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1200

800

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

125

150

-65~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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