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BUV61

更新时间： 2024-11-03 22:17:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
5页	51K
描述
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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BUV61 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	250 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
VCEsat-Max：	1.2 V	Base Number Matches：	1

BUV61 数据手册

BUV61

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

■

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT CAPABILITY

FAST SWITCHING SPEED

FULLY CHARACTERIZED AT 125^oC

APPLICATION

■

SWITCHING REGULATORS

MOTOR CONTROL

■

DESCRIPTION

The BUV61 is a Multi-Epitaxial planar NPN

transistor in TO-3 metal case.

It is intented for use in high frequency and

efficiency converters such us motor controllers

and industrial equipment.

TO-3

(version " S ")

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-emitter Voltage (V_BE= -1.5V)

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

300

200

Unit

I_CM

Collector Peak Current

I_B

Base Current

I_BM

Base Peak Current

P_Base

Reverse Bias Base Dissipation

(B.E. junction in avalanche)

P_tot

T_stg

T_j

Total Power Dissipation at T_case< 25 C

Storage Temperature

250

-65 to 200

200

^oC

Max Operating Junction Temperature

1/5

October 2003

12 3 4 5

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