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BUV61

更新时间: 2024-11-17 22:17:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
5页 51K
描述
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

BUV61 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.16外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):50 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:250 W最大功率耗散 (Abs):250 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):1500 ns
VCEsat-Max:1.2 VBase Number Matches:1

BUV61 数据手册

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BUV61  
®
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR  
NPN TRANSISTOR  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
FAST SWITCHING SPEED  
FULLY CHARACTERIZED AT 125oC  
APPLICATION  
SWITCHING REGULATORS  
MOTOR CONTROL  
1
2
DESCRIPTION  
The BUV61 is a Multi-Epitaxial planar NPN  
transistor in TO-3 metal case.  
It is intented for use in high frequency and  
efficiency converters such us motor controllers  
and industrial equipment.  
TO-3  
(version " S ")  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCEV  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-emitter Voltage (VBE = -1.5V)  
Collector-emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
Value  
300  
200  
7
Unit  
V
V
V
A
A
A
A
W
50  
ICM  
Collector Peak Current  
75  
IB  
Base Current  
8
IBM  
Base Peak Current  
15  
PBase  
Reverse Bias Base Dissipation  
(B.E. junction in avalanche)  
2
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Power Dissipation at Tcase < 25 C  
Storage Temperature  
250  
-65 to 200  
200  
W
oC  
oC  
Max Operating Junction Temperature  
1/5  
October 2003  

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