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BUV82

更新时间： 2024-11-04 12:50:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	108K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUV82 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUV82/83

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min)-BUV82

= 450V(Min)-BUV83

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in converters, inverters, switching regula-

tors, motor control systems and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

850

1000

400

450

UNIT

BUV82

BUV83

BUV82

BUV83

Collector- Emitter

Voltage V_BE=0

V_CES

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_BM

P_C

T_J

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

100

150

-65~150

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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