5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 125 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 250 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1350 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUV61 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| BUV61 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| BUV62 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| BUV62_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
|
| BUV62A | SEME-LAB |
获取价格 |
FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
|
| BUV62A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
|
| BUV66 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
15A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| BUV70 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| BUV70 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BUV71 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-258VAR |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
