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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL, VOLTAGE CLAMPING | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AUTOMOTIVE IGNITION | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 19000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK856-400IZ127 | NXP |
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TRANSISTOR 20 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, Insulated Gate BIP Transistor |
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| BUK856-450IX | NXP |
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TRANSISTOR 15 A, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, Insulated Gate BIP Transistor |
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| BUK856-450IX | PHILIPS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, |
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| BUK856-800 | NXP |
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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT |
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| BUK856-800A | NXP |
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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT |
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| BUK866-400IZ | NXP |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT |
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| BUK866-400IZ/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| BUK866-400IZT/R | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | SOT-404 |
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| BUK9006-55A | NXP |
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N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor |
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| BUK9107-40ATC | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchPLUS logic level FET |
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