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BUK854-800A

更新时间： 2024-01-24 14:44:40
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
7页 63K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT

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BUK854-800A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：800 V最大降落时间（tf）：400 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：30 V
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：85 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BUK854-800A 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product Specification  
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)  
BUK854-800A  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Fast-switching N-channel insulated  
gate bipolar power transistor in a  
plastic envelope.  
The device is intended for use in  
motor control, DC/DC and AC/DC  
converters, and in general purpose  
high frequency switching  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VCE  
IC  
Ptot  
VCEsat  
Eoff  
Collector-emitter voltage  
Collector current (DC)  
Total power dissipation  
Collector-emitter on-state voltage  
Turn-off Energy Loss  
800  
12  
85  
3.5  
0.5  
V
A
W
V
mJ  
applications.  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
tab  
gate  
2
collector  
emitter  
g
3
tab collector  
1 2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VCE  
VCGR  
±VGE  
IC  
IC  
ICLM  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
Gate-emitter voltage  
Collector current (DC)  
Collector current (DC)  
Collector Current (Clamped  
Inductive Load)  
-
-5  
-
-
-
-
800  
800  
30  
12  
6
V
V
V
A
A
A
RGE = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tj ≤ Tjmax.  
-
20  
V
CL ≤ 500 V  
ICM  
Collector current (pulsed peak value, Tj ≤ Tjmax.  
-
30  
A
on-state)  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction Temperature  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
- 55  
-
85  
150  
150  
W
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
-
60  
1.47  
-
K/W  
K/W  
In free air  
October 1994  
1
Rev.1.100  
1234567

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与BUK854-800A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK854-800A,127 NXP

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 		12A, 800V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
BUK854-800A127 NXP

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 		TRANSISTOR 12 A, 800 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, Insulated Gate BIP Transistor
BUK856-400IZ NXP

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT
BUK856-400IZ,127 NXP

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 		20A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
BUK856-400IZ127 NXP

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 		TRANSISTOR 20 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, Insulated Gate BIP Transistor
BUK856-450IX NXP

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 		TRANSISTOR 15 A, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, Insulated Gate BIP Transistor
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel,
BUK856-800 NXP

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT
BUK856-800A NXP

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT

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