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BT169E

更新时间： 2024-09-17 21:08:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 45K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8 A, 500 V, SCR, TO-92, PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN

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BT169E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.02其他特性：SENSITIVE GATE
标称电路换相断开时间：100 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：5 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A重复峰值关态漏电流最大值：100 µA
断态重复峰值电压：500 V重复峰值反向电压：500 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

BT169E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
logic level  
BT169 series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
BT169  
Passivated, sensitive gate thyristors  
inaplasticenvelope,intendedforuse  
in general purpose switching and  
phase control applications. These  
devices are intended to be interfaced  
directly to microcontrollers, logic  
integrated circuits and other low  
power gate trigger circuits.  
MAX MAX MAX MAX UNIT  
.
.
.
.
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak  
off-state voltages  
Average on-state  
current  
B
D
E
G
V
A
200 400 500 600  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
A
A
0.8  
8
0.8  
8
0.8  
8
0.8  
8
PINNING - TO92 variant  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
anode  
a
k
2
gate  
3
cathode  
g
3
2 1  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
B
D
E
G
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
2001  
4001  
5001  
6001  
IT(AV)  
Average on-state current half sine wave;  
lead ≤ 83 ˚C  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
0.5  
A
T
IT(RMS)  
ITSM  
all conduction angles  
t = 10 ms  
-
-
-
0.8  
8
9
A
A
A
t = 8.3 ms  
half sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to surge  
t = 10 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
-
0.32  
50  
A2s  
dIT/dt  
ITM = 2 A; IG = 10 mA;  
dIG/dt = 100 mA/µs  
A/µs  
IGM  
-
1
5
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
5
-
-
2
over any 20 ms period  
0.1  
150  
125  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 2001  
1
Rev 1.500  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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