生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-92 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.59 | 其他特性: | SENSITIVE GATE |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 0.055 mA |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流: | 0.8 A |
断态重复峰值电压: | 500 V | 重复峰值反向电压: | 500 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BT169EW | NXP |
获取价格 |
Thyristor logic level | |
BT169G | NXP |
获取价格 |
Thyristors logic level | |
BT169G | JJM |
获取价格 |
0.8A SENSITIVE SCRs | |
BT169G | TGS |
获取价格 |
Thyristors logic level | |
BT169G | UTC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 500mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elemen | |
BT169G | PHILIPS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 600V V(DRM), | |
BT169G | WEEN |
获取价格 |
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier with sensitive gate in a SOT54 (TO-92) plas | |
BT169G,112 | NXP |
获取价格 |
BT169G | |
BT169G,126 | NXP |
获取价格 |
BT169G | |
BT169G,162 | NXP |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),TO-92VAR |