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BT169G

更新时间： 2024-01-29 03:41:36

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	124K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 500mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92

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BT169G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	标称电路换相断开时间：	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率：	25 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	8 A	最大通态电压：	1.3 V
最大通态电流：	500 A	最高工作温度：	125 °C
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

BT169G 数据手册

UTC BT169

SCR

SCRs

DESCRIPTION

Passivated, sensitive gate thyristors in a plastic

envelope, intended for use in general purpose

switching and phase control applications. These

devices are intended to be interfaced directly to

microcontrollers, logic integrated circuits and other

low power gate trigger circuits.

TO-92

1:CATHODE 2:GATE 3:ANODE

QUICK REFERENCE DATA

BT169B

MAX

200

0.5

0.8

BT169D

MAX

400

0.5

0.8

BT169E

MAX

500

0.5

0.8

BT169G

MAX

600

0.5

0.8

UNIT

MAX

PARAMETER

SYMBOL

Repetitive peak off-state voltages

Average on-state current

RMS on-state current

VDRM, VRRM

IT(AV)

IT(RMS)

ITSM

Non-repetitive peak on-state current

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Repetitive peak off-state voltages

SYMBOL

VDRM,VRRM

RATINGS

UNIT

BT169B

200*

400*

500*

600*

BT169D

BT169E

BT169G

Average on-state current

(Half sine wave, Tlead≦83°C)

IT(AV)

0.5

0.8

RMS on-state current

(All conduction angles)

Non-repetitive peak on-state current

(half sine wave, Tj=25°C prior to surge)

t=10ms

IT(RMS)

ITSM

0.32

t=8.3ms

I²t for fusing (t=10ms)

I²t

A²S

Repetitive rate of rise of on-state current after triggering

(ITM=2A,I_G=10mA, dI_G/dt=100mA/µs)

dI_T/dt

A/µs

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R301-015,A

12 3 4 5

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与BT169G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BT169G,112	NXP	获取价格	BT169G
BT169G,126	NXP	获取价格	BT169G
BT169G,162	NXP	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),TO-92VAR
BT169G,176	NXP	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),TO-92VAR
BT169G/DG,176	NXP	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),TO-92VAR
BT169G-L	NXP	获取价格	0.8 A, 600 V, SCR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BT169G-L	WEEN	获取价格	Planar passivated very sensitive gate Silicon Controlled Rectifier in a SOT54 (TO-92) plas
BT169G-L,412	NXP	获取价格	BT169G-L
BT169GL-T92-B	UTC	获取价格	SCRS
BT169GL-T92-K	UTC	获取价格	SCRS