捷配首页

Datasheet > BT169G
BT169G PDF预览

BT169G

更新时间： 2025-08-10 21:10:59
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 42K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 600V V(DRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

BT169G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73标称电路换相断开时间：100 µs
关态电压最小值的临界上升速率：25 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JESD-609代码：e0最大漏电流：0.1 mA
通态非重复峰值电流：8 A最大通态电压：1.3 V
最大通态电流：500 A最高工作温度：125 °C
断态重复峰值电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

BT169G 数据手册

 浏览型号BT169G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BT169G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BT169G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BT169G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BT169G的Datasheet PDF文件第6页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
logic level  
BT169 series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
BT169  
Passivated, sensitive gate thyristors  
inaplasticenvelope,intendedforuse  
in general purpose switching and  
phase control applications. These  
devices are intended to be interfaced  
directly to microcontrollers, logic  
integrated circuits and other low  
power gate trigger circuits.  
MAX MAX MAX MAX UNIT  
.
.
.
.
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak  
off-state voltages  
Average on-state  
current  
B
D
E
G
V
A
200 400 500 600  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
A
A
0.8  
8
0.8  
8
0.8  
8
0.8  
8
PINNING - TO92 variant  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
anode  
a
k
2
gate  
3
cathode  
g
3
2 1  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
B
D
E
G
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
2001  
4001  
5001  
6001  
IT(AV)  
Average on-state current half sine wave;  
lead ≤ 83 ˚C  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
0.5  
A
T
IT(RMS)  
ITSM  
all conduction angles  
t = 10 ms  
-
-
-
0.8  
8
9
A
A
A
t = 8.3 ms  
half sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to surge  
t = 10 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
-
0.32  
50  
A2s  
dIT/dt  
ITM = 2 A; IG = 10 mA;  
dIG/dt = 100 mA/µs  
A/µs  
IGM  
-
1
5
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
5
-
-
2
over any 20 ms period  
0.1  
150  
125  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 2001  
1
Rev 1.500  
123456

中文翻译

下载PDF

与BT169G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT169G,112 NXP

获取价格

 		BT169G
BT169G,112 WEEN

获取价格

 		元器件封装:TO-92-3;
BT169G,126 NXP

获取价格

 		BT169G
BT169G,126 WEEN

获取价格

 		元器件封装:TO-92-3;
BT169G,162 NXP

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),TO-92VAR
BT169G,176 NXP

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),TO-92VAR
BT169G-6 YFW

获取价格

 		IT(RMS) : 0.8; ITSM@50Hz : 8; VDRM : 600; VRRM : 600; IGT(1-3) : 0.2; TJ : 110; Package :
BT169G-8 YFW

获取价格

 		IT(RMS) : 0.8; ITSM@50Hz : 8; VDRM : 800; VRRM : 800; IGT(1-3) : 0.2; TJ : 110; Package :
BT169G-L NXP

获取价格

 		0.8 A, 600 V, SCR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BT169G-L WEEN

获取价格

 		Planar passivated very sensitive gate Silicon Controlled Rectifier in a SOT54 (TO-92) plas

与BT169G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证