BST60

更新时间： 2024-09-16 22:27:55

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BST60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.3 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage

M3D109

BST60; BST61; BST62

PNP Darlington transistors

1999 Apr 27

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1997 Apr 16

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC869	NEXPERIA	功能相似	20 V, 2 A PNP medium power transistorProduction
NTE2429	NTE	功能相似	Silicon Complementary Transistors General Purpose Switch

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BST60-Q	NEXPERIA	获取价格	PNP Darlington transistorProduction
BST60T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-89
BST60-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BST60-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BST60TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G
BST60TRL13	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BST61	NXP	获取价格	PNP Darlington transistors
BST61	ZETEX	获取价格	SOT89 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BST61	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BST61	NEXPERIA	获取价格	PNP Darlington transistorProduction