5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 90 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST62_70 | ETC |
获取价格 |
|
|
| BST62-70 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
|
| BST62-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-2 |
|
| BST62TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| BST62-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BST62-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BST62TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G |
|
| BST62TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BST62TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G |
|
| BST62TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
