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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JEDEC-95代码： | TO-243AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST62TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BST62-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BST62-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BST62TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G |
|
| BST62TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BST62TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G |
|
| BST62TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BST-7 | DBLECTRO |
获取价格 |
BST-7 |
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| BST70 | NXP |
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N-channel vertical D-MOS transistor |
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| BST70A | NXP |
获取价格 |
N-channel vertical D-MOS transistor |
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