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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST80TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 400 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BST82 | ZETEX |
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SOT23 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| BST82 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BST82,235 | NXP |
获取价格 |
BST82 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-236 3-Pin |
|
| BST82/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET |
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| BST82T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOT-23, 3 PIN, FET General P |
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| BST82TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BST82-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BST82-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BST82TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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